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肖特基勢壘二極管

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詳細介紹

[ 產(chǎn)品概要]

?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。
耐高壓?低導通電阻?高速開關、實現(xiàn)整機的小型化和節(jié)能化。

特長

?• N-ch SiC功率MOSFET
• 低導通電阻
• 高溫時的導通電阻增加小
• 高速開關

產(chǎn)品規(guī)格

絕對最大額定值(Ta=25ºC)
Rated parameters	Standard value	Conditions
Drain-Source voltage V_DSS(V)	600
Gate-Source voltage V_GSS(V)	-3 ～+22
Drain current(continuous) I_D(A)	10	Please use the device with SOA(safety operation area)
Source current(body Di) I_S	-
Total power dissipation P_D	-
Channel temperature Tch(ºC)	150
Storage temperature Tstg(ºC)	-55 ～+150